据研究机构Yole的存储报告显示，预计今年DRAM市场规模将增长到1180亿美元，增长25%；今年NAND闪存将达到830亿美元，增长24%，均双双创历史新高。从长远来看，独立内存市场预计将继续扩大，2021至2027年的复合年增长率为8%，并有望在2027年增长到超过2600亿美元。但是，季节性因素仍然存在。
值得注意的是，NOR闪存市场在2021年强劲复苏，收入增长43%至35亿美元。据Yole称，这是由于紧张的市场条件给价格带来了上行压力。需求显著增长是由多种应用推动的，包括消费者和物联网、汽车、电信和基础设施。
2022年是NAND闪存发明35周年。自1987年以来，NAND设备的位密度和每位成本一直在不断进步。为了维持这种扩展，正在深入研究新的技术解决方案，包括CBA架构，例如长江存储的Xtacking方法。如今，所有存储制造商都在使用混合键合设备进行研发。铠侠和三星等主要供应商正在将晶圆对晶圆键合纳入其NAND路线图。
在DRAM业务中，Yole指出当前的共识是，即使通过光刻EUV工艺，平面缩放也不足以为整个未来十年提供所需的位密度改进。因此，主要设备供应商和领先的DRAM制造商正在考虑将单片3D DRAM（相当于3D NAND的DRAM）作为长期扩展的潜在解决方案。Yole的分析师认为，这种新颖的3D技术可以在2029-2030年的时间范围内进入市场。
